GBT 4058-1995
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ID： |
E5905BF19CC742C3829B00E27D78F932 |
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文件大小(MB)： |
0.28 |
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页数： |
9 |
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文件格式： |
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日期： |
2013-6-4 |
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标凑分享网,.hTW/j.com,中华人民共和国国家标准,硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法,Test method for detection of oxidation,induced defects in polished silicon wafers,GB/T 4058 — 1 995,代替 GB 4058—83,GB 6622—86,GB 6623—86,1主题内容与适用范围,本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法,本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测,2引用标准,GB/T 1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法,YS/T 209硅材料原生缺陷图谱,3方法提要,模拟器件工艺的氧化条件，.利用氧化来缀饰或扩大硅片中的缺陷，或两者兼有，然后用择优腐蚀液,显示缺陷,并用显微技术观测,4试剂和材料,4-1三氧化铭,4.2 氢氟酸(42%),优级纯,4.3 硝酸(0L4g/mL),优级纯,4. 4 氨水(P。. 90 g/mL),优级纯,4. 5 盐酸(pl. 18 g/mL),优级纯,4-6 乙酸(pl. 05 g/mL),优级纯,4.7 过氧化氢(30%),优级纯,4.8 高纯水,25C时的电阻率大于10 MQ ?cm,4.9 清洗液1"：,水：氨水(4. 4)：过氧化氢(4. 7) = 4 ： 1 ： l(V/V)o,4.10 清洗液2#：,水：盐酸(4. 5):过氧化氢(4. 7) = 4 ： 1 ： 1(V/V)O,4.11 化学抛光液采用表1中诸配方之一,国家技术监督局1 9 9 5 - 0 4 -1 8批准1 995-1 2-01 实施,233,GB/T 4058 — 1995,表1四种常用化学抛光液配方 ', 配 方,体 积 比 (V/V),硝酸(4. 3) 氢氟酸迭丒2) ,乙酸(4. 6),A 6 1 1,B 5 3 3,C 5 10 14,D 3.6 1,A-12铭酸溶液B：称取75 g三氧化辂(4.1)于烧杯中，加水溶解后，移入1 000 mL容量瓶中，用水稀释,至刻度，混匀。 , ',4- 13 Schimmel 腐蚀液 A：,貉酸溶液8(4.12)：氢氟酸(4.2) = 1：2(丫/丫)使用前配制,4- 14 Schimmel 腐蚀液 B：,铝酸溶液 B(4.12)：氢氟酸(4. 2)：水=1 ： 2 ： 1. 5CV/V),使用前配制,4.15研磨材料，采用W20、W10碳化硅或氧化铝金刚砂,5设备和仪器,5.1 金相显微镜:具有X-Y机械载物台及载物台测微计，放大倍数不低于100倍,5.2 平行光源:照度1。0.150 lx,观察背景为无光泽黑色,5. 3氧化炉:满足执行表2所要求的热循环能在炉管中央部位有不小于300 mm长的恒温区,并在恒,温区保持1 000~1 200C的温度，控温误差士 100C,5.4 气源:能提供足够的干氧、湿氧或水汽,5-5试样舟:石英舟或硅舟,5.6 推拉棒:带有小钩的石英棒,5.7 氟塑料花蓝,5.8 氟塑料或石英等非金属制成的硅片夹持器,6试样制备,6.1 对于硅单晶锭，用于检测的试样应取自接近头尾切除部分的保留晶体，或在供需双方指定的部位,切取试样，厚度为］.3 mm,6.2 切得的试样经金刚砂研磨,用化学抛光液(4. 11)抛光或机械抛光，充分去除切割损伤。如果硅片已,经抛光，则可按7. 2. 1条对试样进行清洗,6-3试样待测面应呈镜面，要求表面无浅坑,无氧化，无划痕,7检测程序,7.,7^.,7.1检测环境,试样清洗和氧化的局部环境清洁度应达到1 000级,2试样和氧化系统的清洗处理,2-1试样清洗步骤：,2.1.1把试样放入氟塑料花蓝，使试样相互隔开,2.1. 2在足够的清洗液1"(4. 9)中，于80.90c煮10-15 min,用水冲洗至中性,2.1-3在氢氟酸(4. 2)中浸泡2 min,用水冲洗至中性,234,gb/t 4058-1 995,7.2.1.4在足够的清洗液2# (4. 10)中，于80.9OC煮10-15 min,用水冲洗至中性,7. 2.1. 5清洗后的试样用经过干燥过滤的氮气吹干，或用适当的方法使试样干燥,7.2.2氧化系统和器皿的清洗处理步骤：,7. 2. 2,1炉管、试样舟、气源装置等用1个体积氢氟酸(4.2)和10个体积的水的混合液浸泡2 h,并用,水冲洗干净,7. 2. 2. 2氧化系统在1 000.1 200C预处理5.10 h,7.3氧化方法,7. 3.1把清洗干净并干燥的试样装入试样舟放在炉口处，按表2程序，把舟推至恒温区中央,7. 3. 2试样完成表2程序的热循环以后，把试样舟移到洁净通风柜内降至室温,表2氧化的操作步骤,氧化步骤1 (Bipolar) 2 (MOS) 3 (CMOS),推,气氛干干O2 干O2,温度800 ℃ 1000℃ 900℃,速率203 mm/min 203 mm/min 203 mm/min,升温,气家干5 干5,速率5 ℃ /min 一8℃/min,最后温度1100℃ 1200℃,氧化,气氛湿湿湿,温度1100℃ 1000 r 1200℃,时间60 min 60 min 120 min,降温,气氛干O2 干,速率3. 5℃ /min 一3. 5 ℃ /min,最后温度800 ℃ 900 6,拉,气氛干O2 干5 干,温度800℃ 1000℃ 900℃,速率203 mm/min 203 mm/min 203 mm/min,7.4缺陷的腐蚀显示,7.4.1 把试样移到氟塑料花蓝中,7.4.2 用足……
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